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  <title type="html"><![CDATA[kimi·yang 的 ^草屋^]]></title>
  <subtitle type="html"><![CDATA[寻找第四叶...]]></subtitle>
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  <updated>2008-12-06T21:47:50+08:00</updated> 

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	  <title type="html"><![CDATA[激光管测试+c#上位机]]></title>
	  <author>
		 <name>四叶草</name>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
	  </author>
	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=4" label="草兄随笔" /> 
	  <updated>2008-12-06T21:47:50+08:00</updated>
	  <published>2008-12-06T21:47:50+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[<span style="color:Green">在做激光管测试仪&nbsp;的时候，顺便利用现学的C#知识&nbsp;做个了简单的上位机。</span><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0812/y2008126214635.jpg" border="0" alt=""/><br/><br/><span style="font-size:16pt">这样&nbsp;可以通过串口来控制我的测试仪设备了。</span><br/><br/>在做上位机的时候，卖点就是那个模拟点阵显示屏，&nbsp;现打算把它做成个控件，已有应用就方便多了。但是我还是刚学C#没多久，这个也是我的第一个上位机程序，还不知道怎么做控件，外知道的朋友指点一二！<br/><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0812/g2008126214717.JPG" border="0" alt=""/><br/>]]></summary>
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	  <title type="html"><![CDATA[c# 中发送16进制数]]></title>
	  <author>
		 <name>四叶草</name>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
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	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=4" label="草兄随笔" /> 
	  <updated>2008-11-27T22:55:00+08:00</updated>
	  <published>2008-11-27T22:55:00+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[以前用&nbsp;serialPort1.WriteLine();&nbsp;的方法发送过字符串<br/>以为直接讲二进制数&nbsp;转为字符就可以了，&nbsp;但实际试了下，一转换后，数据不知道编程什么了。<br/><br/>无奈，最近电脑的msdn又突然打不开了，网上搜索下，发现&nbsp;serialPort1.Write()&nbsp;有几个重载的方法，<br/>其中有一个对Byte[]数组进行操作的。<br/>利用以下程序&nbsp;实现了16进制发送。<br/><br/><div class="UBBPanel"><div class="UBBTitle"><img src="http://www.utou.net/images/code.gif" style="margin:0px 2px -3px 0px" alt="程序代码"/> 程序代码</div><div class="UBBContent"><br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Byte[]&nbsp;Sbyte=new&nbsp;Byte[3];<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Sbyte[0]&nbsp;=&nbsp;0xBB;<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Sbyte[1]&nbsp;=&nbsp;0x44;<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Sbyte[2]&nbsp;=&nbsp;(Byte)SetCurrent;<br/><br/><br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;serialPort1.Write(Sbyte,0,3);<br/></div></div>]]></summary>
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	  <title type="html"><![CDATA[双向口问题小节 VHDL]]></title>
	  <author>
		 <name>四叶草</name>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
	  </author>
	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=4" label="草兄随笔" /> 
	  <updated>2008-09-12T00:40:22+08:00</updated>
	  <published>2008-09-12T00:40:22+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[<p><font size="2"><strong>双向口问题小节<br /></strong>在工程应用中,双向电路是设计者不得不面对的问题.在实际应用中,数据总线往往是双向的.如何正确处理数据总线是进行时序逻辑<u><strong><font color="#000066">电路设计</font></strong></u>的基础.在程序设计过程中,关键<u><strong><font color="#000066">技术</font></strong></u>在于:实体部分必须对端口属性进行申明,端口属性必须为inout类型,在构造体需要对输出信号进行有条件的高阻控制.在双向电路的处理问题上,常用的处理方式有两种,在介绍双向电路的处理方式之前,先看看双向电路的基本格式:<br /><br /><font color="#0000ff"><font style="BACKGROUND-COLOR: #c0c0c0">ENTITY bidir_pin IS<br />(<br />bidir : INOUT std_logic;<br />oe, clk, from_core : IN std_logic;<br />to_core : OUT std_logic;<br />&hellip;&hellip;<br />END bidir_pin;<br /><br />ARCHITECTURE behavior OF bidir_pin IS<br />BEGIN<br />&nbsp;&nbsp; bidir &lt;= from_core WHEN oe=&lsquo;1&rsquo; ELSE &ldquo;ZZZZ&rdquo;;<br />&nbsp;&nbsp; to_core &lt;= bidir;<br />_<br />_<br />_<br />END behavior;</font><br /></font><br />&nbsp;该程序揭示了双向电路的处理技巧,首先在实体部分bidir属于双向信号,在端口定义时,端口属性为inout类型,即把bidir信号作为输入三态输出. 语句&ldquo;bidir &lt;= from_core WHEN oe=&lsquo;1&rsquo; ELSE &ldquo;ZZZZ&rdquo;;&rdquo;表示bidir信号三态输出,语句&rdquo;to_core &lt;= bidir;&rdquo;把bidir信号作为输入信号.<br />&nbsp;由此可见,双向电路在程序设计中,didir输入当着普通的in类型,而在输出时,需要加一定的控制条件,三态输出.问题的关键在于:如何确定这个条件?<br /><br />1)双向信号作一个信号的输入,作另一信号的输出<br /><br /><font style="BACKGROUND-COLOR: #c0c0c0" color="#3366ff">ENTITY bidir IS<br />PORT(<br />bidir : INOUT STD_LOGIC_VECTOR (7 DOWNTO 0);<br />oe, clk : IN STD_LOGIC;<br />from_core : IN STD_LOGIC_VECTOR (7 DOWNTO 0);<br />to_core : OUT STD_LOGIC_VECTOR (7 DOWNTO 0)<br />);<br />END bidir;<br /><br />ARCHITECTURE logic OF bidir IS<br />SIGNAL a : STD_LOGIC_VECTOR (7 DOWNTO 0);<br />SIGNAL b : STD_LOGIC_VECTOR (7 DOWNTO 0);<br />BEGIN<br />PROCESS (clk)<br />BEGIN<br />&nbsp;&nbsp; IF clk = '1' AND clk'EVENT THEN<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; a &lt;= from_core;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; to_core &lt;= b;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;END IF;<br />END PROCESS;<br /><br />PROCESS (oe, bidir)<br />BEGIN<br />&nbsp; IF( oe = '0') THEN<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; bidir &lt;= &quot;ZZZZZZZZ&quot;;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; b &lt;= bidir;<br />&nbsp; ELSE<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; bidir &lt;= a;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; b &lt;= bidir;<br />&nbsp; END IF;<br />END PROCESS;<br />END logic;<br /></font><br />&nbsp;这种设计方式叫做寄存双向信号的方法.本设计中bidir为双向信号,from_core为数据输入端,to_core为数据输出端,oe为三态输出使能,clk为读写数据的时钟.在程序设计中,需要定义两个signal a和b信号.a信号用于输入数据from_core的寄存器,b用于输出数据to_core的寄存器.采用寄存器的方法需要设计两个进程,一个进程把a,b信号在时钟的控制下负责端口的输入信号from_core和端口输出信号to_core的连接,这一步实现了寄存双向的功能.另外一个进程则负责信号a,b和双向口之间的赋值关系.本设计只揭示了简单的双向信号操作方式,即bidir既可以作为from_core的输出,又可以作为to_core的输入<br /><br />2)双向信号既做输出又做输出<br /><br />上例是最简单的双向信号应用的特例.在实际的工程中,双向信号既做信号的输入,又做信号的输出,常见的数据总线就是这种操作模式.<br /><br /><font style="BACKGROUND-COLOR: #c0c0c0" color="#3366ff">library IEEE;<br />use IEEE.STD_LOGIC_1164.all;<br /><br />entity dir_data is<br />&nbsp; port(<br />&nbsp;&nbsp; clk : in STD_LOGIC;<br />&nbsp;&nbsp; rst : in STD_LOGIC;<br />&nbsp;&nbsp; rw : in STD_LOGIC;<br />&nbsp;&nbsp; address : in STD_LOGIC_VECTOR(1 downto 0);<br />&nbsp;&nbsp; data : inout STD_LOGIC_VECTOR(7 downto 0)<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; );<br />end dir_data;<br /><br />architecture arc_dir of dir_data is&nbsp;<br /><br />signal data_in : STD_LOGIC_VECTOR(7 downto 0);<br />signal data_out: STD_LOGIC_VECTOR(7 downto 0);<br />signal reg_a: STD_LOGIC_VECTOR(7 downto 0);<br />signal reg_b: STD_LOGIC_VECTOR(7 downto 0);<br /><br />begin&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />&nbsp;<br />&nbsp;data_in&lt;=data;<br />&nbsp;<br />&nbsp;d1:process(clk,rst,rw)<br />&nbsp;begin<br />&nbsp;&nbsp;if rst='1' then<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;reg_a&lt;= (others=&gt;'0');<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; reg_b&lt;= (others=&gt;'0');<br />&nbsp;&nbsp;elsif clk'event and clk='1' then<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; if rw='1' then<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; if address=&quot;00&quot; then&nbsp;&nbsp;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; reg_a&lt;=data_in;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; elsif address=&quot;01&quot; then<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; reg_b&lt;=data_in;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;else null;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; end if;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;else null;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;end if;<br />&nbsp;&nbsp;else null;<br />&nbsp;&nbsp;end if;<br />&nbsp;&nbsp;end process d1;<br /><br />&nbsp;d2:process(clk,rw,reg_a,reg_b)&nbsp;<br />&nbsp;begin<br />&nbsp;if clk'event and clk='1' then<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;if rw='0' then<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;if address=&quot;00&quot; then<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; &nbsp;data_out&lt;=reg_a;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; elsif address=&quot;01&quot; then<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; data_out&lt;=reg_b;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; else null;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp; end if;<br />&nbsp;&nbsp;else null;<br />&nbsp;&nbsp;end if;<br />&nbsp;else null;<br />&nbsp;end if;<br />&nbsp;end process d2;&nbsp;<br />&nbsp;&nbsp;<br />&nbsp;data&lt;=data_out when (rw='0' and address(1)='0') else<br />&nbsp;&nbsp; (others=&gt;'Z');<br />&nbsp;<br />end arc_dir;<br /></font><br />&nbsp;在程序设计中,首先需要定义data_in, data_out, reg_a, reg_b四个signal,我们把data_in叫做输入寄存器,它是从双向信号data接收数据的寄存器,data_out叫做输出寄存器,它是向双向信号data发送信号的寄存器,reg_a和reg_b叫做操作寄存器,它们是在一定的时序控制下把data_in数据送给reg_a,reg_b,在一定的时序控制下从reg_a和reg_b读出数据的.<br />&nbsp;这样的处理方式必须有两个进程,因为在architecture arc_dir of dir_data is和begin之间定义了data_in, data_out, reg_a, reg_b四个signal,它在同一进程内不支持既赋值,又调用,也就是说它不支持在d1进程中对信号reg_a, reg_b赋值,又在d1进程中又调用reg_a, reg_b.<br />首先有语句&rdquo;data_in&lt;=data;&rdquo;它表示输入寄存器无条件的接收双先信号的数据.在d1进程中,首先在rst信号有效时,对操作寄存器reg_a,和reg_b进行清零操作,然后在时钟(clk)的控制下,在写(rw)信号有效的情况下,对reg_a, reg_b寄存器在不同的地址控制下写入不同的data_in值.在d2进程中,在时钟(clk)的控制下,在读(rw)信号有效的时候,把不同地址的reg_a, reg_b的值送进data_out中.<br />最关键的是最后一句:&ldquo;data&lt;=data_out when (rw='0' and address(1)='0') else (others=&gt;'Z');&rdquo;它表示双向信号的三态输出,而最最关键的是when后面的条件,如果条件限制太宽,就会错误占用双向信号总线,引起总线的误操作,如果条件限制太窄,输出寄存器的数据就不能够正确的送到数据总线上去,会引起数据的丢失.也就是说,只有正确的限制了when语句后面的条件,才能够把输出寄存器的数据正确地送到数据总线上去.仔细查看此条件,有如下的规律:when语句后的条件是操作寄存器写入输出寄存器的条件的公共条件.比如:rw=&rsquo;0&rsquo;是操作寄存器的数据写入输出寄存器的读使能信号,address(1)是地址线的公共部分.在实际工程应用中,需要设计者在分配地址总线的时候掌握一定的技巧,尽量从地址的低位到到高位,保证地址总线有更多位的公共部分,比如只对四个寄存器操作时,地址线分配为&rdquo;100&rdquo;,&rdquo;010&rdquo;,&rdquo;110&rdquo;,&rdquo;001&rdquo;是不科学的,而&rdquo;000&rdquo;,&rdquo;001&rdquo;,&rdquo;010&rdquo;和&rdquo;011&rdquo;则是理想的.两者不同的是前者地址线没有公共部分,这样的设计无法用when语句对条件进行直接的控制,如果置之不理,由于列举不全,在逻辑综合时,电路会利用器件的乘积项和查找表的资源形成一个Latch, Latch不仅会把电路的时序变得复杂,而且电路存在潜在的危险性.虽然when语句后的条件不能够对条件进行直接的控制,但是可以使用枚举法一一把用到的地址线罗列出来,表示只有在这样的地址线的情况下才会用到数据总线,否则其他状态对数据总线送高阻,表示不占用数据总线.<br />总而言之,双向信号是程序设计中尤其重要的基础,设计者在设计程序的时候,要尤其注意,何时会占用数据总线,何时不占用数据总线.</font></p>]]></summary>
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	  <title type="html"><![CDATA[西铁城 K3247 液晶驱动]]></title>
	  <author>
		 <name>四叶草</name>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
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	  <updated>2008-09-05T12:43:45+08:00</updated>
	  <published>2008-09-05T12:43:45+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[这块西铁城K3247&nbsp;2‘8寸的液晶屏买了放那已经好久了，最近花了点功夫用CPLD把它驱动起来。<br/>还没加显存，下次在弄块Sram上去！<br/><br/>这是CPLD的顶层文件<br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0809/8200895124538.jpg" border="0" alt=""/><br/>时序<br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0809/o200895124645.jpg" border="0" alt=""/><br/>这是我用CPLD产生的时序<br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0809/u200895125341.jpg" border="0" alt=""/><br/><br/>源工程文件打包下载<br/><img src="http://www.utou.net/images/download.gif" alt="下载文件" style="margin:0px 2px -4px 0px"/> <a href="http://www.utou.net/attachments/month_0809/n20089512551.rar" target="_blank">点击下载此文件</a><br/><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0809/320089512432.JPG" border="0" alt=""/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0809/i200895124314.JPG" border="0" alt=""/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0809/i200895124331.JPG" border="0" alt=""/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0809/u200895124343.JPG" border="0" alt=""/><br/>]]></summary>
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	  <title type="html"><![CDATA[C Sharp 畅想曲 之 [序幕]]]></title>
	  <author>
		 <name>四叶草</name>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
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	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=5" label="草作一点" /> 
	  <updated>2008-07-01T09:21:25+08:00</updated>
	  <published>2008-07-01T09:21:25+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[<img src="http://www.utou.net/attachments/month_0807/q20087192358.gif" border="0" alt=""/><br/><br/><br/>在学习C&nbsp;Sharp过程中，突然想到了做个桌面时钟小软件，<br/>于是就开始花了一个晚上的时间，找资料&nbsp;完成了这个不大成熟的作品！<br/><br/>利用了&nbsp;LED数码管控件显示，编程起来还是比较方便的！<br/><br/>不过C#写的程序需要在FrameWork平台下运行，哎，不知道现在电脑用户他们都配置好FrameWork了没！！<br/><br/><img src="http://www.utou.net/images/download.gif" alt="下载文件" style="margin:0px 2px -4px 0px"/> <a href="http://www.utou.net/attachments/month_0807/t20087192747.rar" target="_blank">程序下载</a><br/><br/><br/><div class="UBBPanel"><div class="UBBTitle"><img src="http://www.utou.net/images/code.gif" style="margin:0px 2px -3px 0px" alt="程序代码"/> 程序代码</div><div class="UBBContent">/*<br/>&nbsp;*&nbsp;Cr&#101;ated&nbsp;by&nbsp;SharpDevelop.<br/>&nbsp;*&nbsp;User:&nbsp;kimiyang<br/>&nbsp;*&nbsp;Date:&nbsp;2008-6-30<br/>&nbsp;*&nbsp;Time:&nbsp;19:27<br/>&nbsp;*&nbsp;<br/>&nbsp;*&nbsp;To&nbsp;change&nbsp;this&nbsp;template&nbsp;use&nbsp;Tools&nbsp;|&nbsp;Options&nbsp;|&nbsp;Coding&nbsp;|&nbsp;Edit&nbsp;Standard&nbsp;Headers.<br/>&nbsp;*/<br/><br/>using&nbsp;System;<br/>using&nbsp;System.Collections.Generic;<br/>using&nbsp;System.Drawing;<br/>using&nbsp;System.Windows.Forms;<br/><br/>namespace&nbsp;timer<br/>{<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;///&nbsp;&lt;summary&gt;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;///&nbsp;Description&nbsp;of&nbsp;MainForm.<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;///&nbsp;&lt;/summary&gt;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;public&nbsp;partial&nbsp;class&nbsp;MainForm<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;{<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;[STAThread]<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;public&nbsp;static&nbsp;void&nbsp;Main(string[]&nbsp;args)<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;{<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;Application.EnableVisualStyles();<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;Application.SetCompatibleTextRenderingDefault(false);<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;Application.Run(new&nbsp;MainForm());<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;}<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;public&nbsp;MainForm()<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;{<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;//<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;//&nbsp;The&nbsp;InitializeComponent()&nbsp;call&nbsp;is&nbsp;required&nbsp;for&nbsp;Windows&nbsp;Forms&nbsp;designer&nbsp;support.<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;//<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;InitializeComponent();<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;//<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;//&nbsp;TODO:&nbsp;Add&nbsp;constructor&nbsp;code&nbsp;after&nbsp;the&nbsp;InitializeComponent()&nbsp;call.<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;//<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;this.FormBorderStyle&nbsp;=&nbsp;FormBorderStyle.None;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;this.ShowInTaskbar&nbsp;=&nbsp;false;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;ledNumber1.LEDText&nbsp;=&nbsp;System.DateTime.Now.ToString();<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;timer2.Interval=30;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;timer2.Enabled&nbsp;=&nbsp;true;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;this.Opacity&nbsp;=&nbsp;0.2;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;<br/><br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;}<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;void&nbsp;MainFormLoad(object&nbsp;sender,&nbsp;System.EventArgs&nbsp;e)<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;{<br/><br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;this.TopMost&nbsp;=&nbsp;true;<br/><br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;}<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;static&nbsp;int&nbsp;infoX=480;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;static&nbsp;int&nbsp;TickN&nbsp;=0;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;static&nbsp;int&nbsp;R_color&nbsp;=&nbsp;50;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;static&nbsp;int&nbsp;G_color&nbsp;=&nbsp;50;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;static&nbsp;int&nbsp;B_color&nbsp;=&nbsp;250;<br/><br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;Random&nbsp;ro&nbsp;=new&nbsp;Random();<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;void&nbsp;Timer2Tick(object&nbsp;sender,&nbsp;System.EventArgs&nbsp;e)<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;{<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;ledNumber1.LEDText&nbsp;=&nbsp;System.DateTime.Now.ToString();<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;//ledNumber1.LEDForeColor&nbsp;=&nbsp;Color.YellowGreen;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;<br/>&#160;&#160;&#160;&#160;&#160;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	  <title type="html"><![CDATA[<新东方的保密资料>四六级的规律，不懂照样过！]]></title>
	  <author>
		 <name>四叶草</name>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
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	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=4" label="草兄随笔" /> 
	  <updated>2008-06-12T20:20:10+08:00</updated>
	  <published>2008-06-12T20:20:10+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[<br/>深层剖析解的特征&nbsp;<br/><br/>每道都由题干（即问题）与四个选项组成。我对四个选项这样划分：其中一个是答案的选项称为解，其余三个选项不称为选项，而称为干扰项，因为几乎每个选项都被命题者加上了十足的功力，麻痹考生，以达到不容易被考生答对的目的。这样由命题难度梯度决定，解必然有如下特点：&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“中心思想是解”&nbsp;<br/><br/>对一主题题型“中心思想是解”非常好理解。但大家一定要注意到大多数细节题也符合“中心思想是解”，因为很多细节刀是围绕中心的细枝末节。&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“隐蔽处有解”&nbsp;<br/><br/>指方章中的或一名话的隐蔽之，常见有同位语、插入语、定语、长句后半句、从句、副词、不定式等。&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“合理项不是解；不合理项是解；无关项是解；事实是解”&nbsp;<br/><br/>问：“狗是干什么的？&nbsp;<br/><br/>答：“狗是看门的”&nbsp;<br/><br/>在各类英语考试中，这种选项显然是错误的因为人人都知道狗是看门的，狗是看门的是常识，是典型的合理项，合理项不是解。那么，狗是干什么的？我给大家举个例子：狗是锻炼身体的。很多同学不理解，觉得没有道理。其实文章中很可能六我们家养了一条狗，每天早上我和狗都去跑步，狗跑多快，我就跑多快，后来我身体就越来越好，所以狗就成了锻炼身体的了。但问题问狗是干什么的，干扰项中必然出现诸如狗是看门的选项，那是给那些想瞎猜的人准备的，理由很简单，就是不能让考生不看文章答对题。&nbsp;<br/><br/>总之合理项是指合理的选项，合理项主要分为两种情况:一种是生活常识，另一种是在不看文章的前提下，问题与答案极其吻合。&nbsp;<br/><br/>但想想看，反其道而行之呢？对策：“合理项不是解；不合理项是解；无关项是解；事实是解”。&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“照抄原文不是解；同义替换是解”&nbsp;<br/><br/>如果选项中出现照抄原文的情况，有时选项同文章中的某句话一模一样，此选项高度可疑，而某选项通过同义替换，或词类转换如由名词转换成动词，则“同义替换是解”。&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“含义肯定的不是解，含义不肯定的是解”&nbsp;<br/><br/>“人之初，性本善。”人类的本质是善良、这一点在考试上也一样，很多同学出于善良、朴实的天性喜欢得出一个确定的结论。“文章我看就要看懂懂，结论一定要明确”，很多同学就是这样想的，但一选就容易错误。命题者从加大题目难度的考虑，当考到对一个问题的结论的时候，通常不会让您得到肯定的一个结论，即使有非常明确结论的东西他也不喜欢考，要不怎么达到15%~18%通过率哪？这样我们很同学答题很不对路，而我则不一样，一见到含义不肯定的、模模糊糊的东西就喜欢，就觉得心潮澎湃，因为我知道不但我能答对此题，而且还知道别人错在那里，这里提醒大家一定要从思维上战胜考试。&nbsp;<br/><br/>“can是解”&nbsp;“could是解”“may是解”&nbsp;“usually是解”&nbsp;“Ｒight是解”&nbsp;“most是解”&nbsp;<br/><br/>“more&nbsp;o&#114;&nbsp;less是解”&nbsp;“relatively是解”&nbsp;“be&nbsp;likely&nbsp;to是解”&nbsp;“whether&nbsp;o&#114;是解”&nbsp;“not&nbsp;definitely是解”&nbsp;“possible是解”&nbsp;“suspicion是解”&nbsp;“not&nbsp;necessarily是解”&nbsp;“dubious是解”&nbsp;“hesitate是解”&nbsp;“suggest是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>“潜在的是解”&nbsp;“potential是解”&nbsp;“trend是解”&nbsp;“threat是解”&nbsp;...&nbsp;<br/><br/>“未知是解”&nbsp;“unknown是解”…&nbsp;<br/><br/>“绝对的不是解”&nbsp;“must不是解”&nbsp;“always不是解”&nbsp;“never不是解”“the&nbsp;most不是解”&nbsp;<br/><br/>“all不是解”&nbsp;“only不是解”&nbsp;“any不是解”&nbsp;“none不是解”&nbsp;“entirely不是解”&nbsp;“absolute不是解”&nbsp;<br/><br/>“最高级不是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>*例外：在表示原因，表示方式、方法时。&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“具体的不是解，概括性的是解”&nbsp;<br/><br/>只见树木，不见森林，这是很多学生阅读的一个阶段，命题者常利用这一点“欺负”考生，将解做成概括性的选项，干扰项使用具体的内容，使同学犯瞎子摸象的错误。&nbsp;<br/><br/>“both是解”&nbsp;“various是解”&nbsp;“and&nbsp;是解”&nbsp;“名词复数是解”&nbsp;“many是解”&nbsp;“general是解”&nbsp;“not&nbsp;only…but&nbsp;also是解”&nbsp;“系表结构是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“some是解”&nbsp;<br/><br/>some作解，既符合概括性的是解，也符合含义相对的是解。具备此两者“美德”的单词不多，所以some倍受命题者青睐，古今中外的各种考试中不时出现。别忽视了长相和some不一样的certain，其实质也是some的一种。&nbsp;<br/><br/>“someone是解”&nbsp;“somebody是解”&nbsp;“something是解”&nbsp;“someday是解”&nbsp;“certain(一些)是解”&nbsp;<br/><br/>…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“具体的不是解，抽象的是解”&nbsp;<br/><br/>与具体的选项相比，抽象的不容易理解，这成了命题者增加难度的常见手段。&nbsp;<br/><br/>“approach是解”&nbsp;“concept是解”&nbsp;“misconception是解”&nbsp;“awareness是解”&nbsp;“property是解”&nbsp;“character是解”&nbsp;“chance是解”&nbsp;“opportunity是解”&nbsp;<br/><br/>…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“重要是解”&nbsp;<br/><br/>重要是解，是“抽象的是解”的一种常见形式。&nbsp;<br/><br/>“important是解”&nbsp;“necessity是解”&nbsp;“essential是解”&nbsp;“significant是解”&nbsp;“dominant是解”&nbsp;“special是解”&nbsp;“vital是解”&nbsp;“particular是解”&nbsp;“fundamental是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“基础是解”&nbsp;<br/><br/>“basis是解”&nbsp;“be&nbsp;based&nbsp;on&nbsp;是解”&nbsp;“basic&nbsp;是解”&nbsp;“in&nbsp;the&nbsp;nature是解”&nbsp;“origin是解”&nbsp;“originate是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“虚词型的解”&nbsp;<br/><br/>“another是解”&nbsp;&nbsp;“other是解”&nbsp;“more是解”&nbsp;“either是解”&nbsp;“also是解”&nbsp;“beside是解”&nbsp;“additional是解”&nbsp;“extra是解”&nbsp;“same是解”&nbsp;…&nbsp;“部分是解”&nbsp;“nearly是解”&nbsp;“not&nbsp;enough是解”&nbsp;“part是解”&nbsp;“inadequate是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>“简单的不是解，复杂的是解”&nbsp;“含义矛盾的是解”&nbsp;“different是解”&nbsp;“separation是解”&nbsp;“division是解”&nbsp;“X&nbsp;and&nbsp;not&nbsp;X是解”&nbsp;“instead&nbsp;of&nbsp;是解”&nbsp;“complex是解”&nbsp;“discuss是解”&nbsp;“极端的不是解，中庸是解”&nbsp;“复合句是解”&nbsp;“长的是解”&nbsp;“比较结构是解”&nbsp;“字面意思不是解，深刻含义是解”&nbsp;“双重否定是解”&nbsp;“三重否定是解”&nbsp;“难的是解”&nbsp;“difficult是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“相互作用是解”&nbsp;“interfere是解”&nbsp;“effect是解”&nbsp;“each&nbsp;other是解”&nbsp;“affect是解”&nbsp;“respond是解”&nbsp;“adapt&nbsp;to是解”&nbsp;“influence是解”&nbsp;“compensate是解”&nbsp;“associate&nbsp;with是解”&nbsp;“relationship是解”&nbsp;“cooperation是解”&nbsp;“depend是解”&nbsp;<br/><br/>…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“变化是解”&nbsp;<br/><br/>“change是解”&nbsp;“shift是解”&nbsp;“vary是解”&nbsp;“alt&#101;r是解”&nbsp;“variation是解”&nbsp;“formation是解”&nbsp;“no&nbsp;longer是解”&nbsp;“delay是解”&nbsp;“improve是解”&nbsp;“postpone是解”&nbsp;“increase是解”&nbsp;“convert是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“积极向上的是解”&nbsp;<br/><br/>凡是参加考研的同学，都是国家重点培养的人才，作为国家的未来的代表，一定要注意灌输正面的、积极向上的思想，考研试题也不例外，这即是“积极向上的是解”的根源。&nbsp;<br/><br/>“objective是解”：记住作者的态度一般永远是客观的，如果选项中出现此选项的话。&nbsp;<br/><br/>“独出心裁是解”&nbsp;“new是解”&nbsp;“inventive是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>“主观是解”&nbsp;<br/><br/>主观的难于客观的，符合“难的是解”&nbsp;<br/><br/>“忽视是解”&nbsp;“neglect&nbsp;是解”&nbsp;“ignore是解”&nbsp;“expect是解”&nbsp;“speculate是解”&nbsp;“suspect是解”&nbsp;“overlook是解”&nbsp;“overestimate是解”&nbsp;“like是解”&nbsp;“dislike是解”&nbsp;…&nbsp;<br/><br/>&nbsp;<br/><br/>二选一，50%概率求解的方法：&nbsp;<br/><br/>“反义项，解在其中”&nbsp;<br/><br/>“形似项，解在其中”&nbsp;<br/><br/>“近义项，解在其中”&nbsp;<br/><br/>实战出真知，技巧是从大量试题中总结出来的，要想真正掌握技巧，那就要去实战中去。望大家都能成功!!<br/><br/>]]></summary>
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	  <title type="html"><![CDATA[一个线性三端稳压器扩流电路]]></title>
	  <author>
		 <name>四叶草</name>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
	  </author>
	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=9" label="草屋科技" /> 
	  <updated>2008-04-14T18:37:11+08:00</updated>
	  <published>2008-04-14T18:37:11+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[<br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0804/z2008414183647.gif" border="0" alt=""/><br/><br/><br/>此电路是极为常见的一个线性三端稳压器扩流电路.&nbsp;<br/><br/>1.电源的缺点<br/><br/>1.1&nbsp;此电源是线性稳压电路,所有有其特有的内部功率损耗大,全部压降均转换为热量损失了,效率低.所以散热问题要特别注意.<br/><br/>1.2&nbsp;由于核心的元件7805的工作速度不太高,所以对于输入电压或者负载电流的急剧变化的响应慢.<br/><br/>1.3&nbsp;此电路没有加电源保护电路,7805本身有过流和温度保护但是扩流三极管TIP32C没有加保护,所以存在一个很大的缺点,如果7805在保护状态以后,电路的输出会是Vin-Vce,&nbsp;电路输出超过预期值,这点要特别注意.<br/><br/>2.&nbsp;电源的优点.<br/><br/>2.1&nbsp;电路简单,稳定.调试方便(几乎不用调试).<br/><br/>2.2&nbsp;价格便宜,适合于对成本要求苛刻的产品.<br/><br/>2.3&nbsp;电路中几乎没有产生高频或者低频辐射信号的元件,工作频率低,EMI等方面易于控制.&nbsp;<br/><br/>3.&nbsp;电路工作原理.&nbsp;<br/><br/>Io&nbsp;=&nbsp;Ioxx&nbsp;+&nbsp;Ic.<br/><br/>Ioxx&nbsp;=&nbsp;IREG&nbsp;–&nbsp;IQ&nbsp;(&nbsp;IQ&nbsp;为7805的静态工作电流,通常为4-8mA)<br/><br/>IREG&nbsp;=&nbsp;IR&nbsp;+&nbsp;Ib&nbsp;=&nbsp;IR&nbsp;+&nbsp;Ic/β&nbsp;(β&nbsp;为TIP32C的电流放大倍数)<br/><br/>IR&nbsp;=&nbsp;VBE/R1&nbsp;(&nbsp;VBE&nbsp;为&nbsp;TIP32的基极导通电压)&nbsp;<br/><br/>所以&nbsp;Ioxx&nbsp;=&nbsp;IREG&nbsp;–&nbsp;IQ&nbsp;=&nbsp;IR&nbsp;+&nbsp;Ib&nbsp;–&nbsp;IQ<br/><br/>=&nbsp;VBE/R1&nbsp;+&nbsp;IC/β-&nbsp;IQ&nbsp;<br/><br/>由于IQ很小,可略去,则:&nbsp;Ioxx&nbsp;=&nbsp;VBE/R1&nbsp;+&nbsp;IC/β&nbsp;<br/><br/>查TIP32C手册,VBE&nbsp;=&nbsp;1.2V,&nbsp;其β&nbsp;可取10&nbsp;<br/><br/>Ioxx&nbsp;=&nbsp;1.2/R&nbsp;+&nbsp;Ic/β&nbsp;=&nbsp;1.2/22&nbsp;+&nbsp;Ic/10&nbsp;=&nbsp;0.0545&nbsp;+&nbsp;Ic/10&nbsp;(此处取主贴图中的22&nbsp;OHM&nbsp;)&nbsp;<br/><br/>Ic&nbsp;=&nbsp;10&nbsp;*&nbsp;(Ioxx&nbsp;–&nbsp;0.0545&nbsp;)&nbsp;<br/><br/>假设Ioxx&nbsp;=&nbsp;100mA,&nbsp;Ic&nbsp;=&nbsp;10&nbsp;*&nbsp;(&nbsp;100&nbsp;-&nbsp;0.0545&nbsp;*&nbsp;1000&nbsp;)&nbsp;=&nbsp;455(mA)<br/><br/>则Io&nbsp;=&nbsp;Ioxx&nbsp;+&nbsp;Ic&nbsp;=&nbsp;100&nbsp;+&nbsp;455&nbsp;=&nbsp;555&nbsp;mA.&nbsp;<br/><br/>再假设Ioxx&nbsp;=&nbsp;200A,&nbsp;Ic&nbsp;=&nbsp;10&nbsp;*&nbsp;(&nbsp;200&nbsp;–&nbsp;0.0545&nbsp;*&nbsp;1000&nbsp;)&nbsp;=&nbsp;1955mA<br/><br/>Io&nbsp;=&nbsp;Ioxx&nbsp;+&nbsp;Ic&nbsp;=&nbsp;200&nbsp;+&nbsp;1955&nbsp;=&nbsp;2155mA&nbsp;<br/><br/>由上面的两个举例可见,输出电流大大的提高了.&nbsp;<br/><br/>上面的计算很多跟贴都讲述了,仔细推导一番即可.&nbsp;<br/><br/>3.2&nbsp;电阻R的大小<br/><br/>R的大小对调整通过7805的电流有很大的关系,取不同的值带入上式即可看出.<br/><br/>R越大,则输出同样的电流的情况下流过7805的电流要小些,反之亦然.<br/><br/>通常这样的电路中,对于扩流三极管TIP32加散热片,而对于7805则无需要,但是R的值不能过大,其条件是:&nbsp;R&nbsp;&lt;&nbsp;VBE&nbsp;/(&nbsp;IREG&nbsp;–&nbsp;IB).&nbsp;<br/><br/>3.3&nbsp;电路中7805输入端的电容的取值是一个错误,前面已经有朋友分析过了,主要是会造成浪涌,在上电的瞬间输出远大于5V,对后续电路造成损坏.&nbsp;实际使用的时候,为了抑制7805的自激振荡,此电容通常取0.33uF(多数常见的spec.均推荐此参数)<br/>]]></summary>
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	  <title type="html"><![CDATA[我是一块硬盘（感动T_T）]]></title>
	  <author>
		 <name>kimiyang</name>
		 <uri>http://www.utou.net/</uri>
		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
	  </author>
	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=4" label="草兄随笔" /> 
	  <updated>2007-12-24T13:02:02+08:00</updated>
	  <published>2007-12-24T13:02:02+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[一个小小（电脑）世界里关于工作、爱情和友情的甘苦人生。<br/>　　之所以感动，或许是因为你我就是那块硬盘、那条内存、那个CMOS或BIOS吧。<br/><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0712/k2007122413110.jpg" border="0" alt=""/><br/><br/><br/>　　我是一块硬盘，在一个普普通通的台式机里工作。<br/>　　别人总认为我们是高科技白领，工作又干净又体面，似乎风光得很。也许他们是因为看到洁白漂亮的机箱才有这样的错觉吧。其实像我们这样的小台式机，工作环境狭迫，里面的灰尘吓得死人。每天生活死水一潭，工作机械重复。跑跑文字处理看看电影还凑活，真要遇到什么大软件和游戏，上上下下就要忙的团团转，最后还常常要死机。&nbsp;<br/>　　我们这一行技术变化快，差不多每过两三年就要升级换代，所以人人都很有压力而且没有安全感。每个新板卡来的时候都神采飞扬踌躇满志，几年光阴一过，就变得灰头土脸意志消沉。机箱里的人都很羡慕能去别的机器工作。特别是去那些笔记本，经常可以出差飞来飞去，住五星级的酒店，还不用干重活，运行运行word，上网聊聊天就行了。&nbsp;<br/>　　但我更喜欢去那些大服务器，在特别干净明亮的机房里工作。虽然工作时间长点，但是福利好，24小时不间断电ups，而且还有阵列，热插拔，几个人做一个人的事情，多轻松啊。而且也很有面子，只运行关键应用，不像我们这里，什么乱七八糟的事情都要做。不过我知道，那些硬盘都很厉害，不是SCSI，就是SCSI&nbsp;II，Fibrechannel，像我这样IDE的，能混到工作站就算很不错了。&nbsp;<br/>　　我常常想，当年在工厂里，如果我努力一下会不会也成了一个SCSI？或者至少做一个笔记本硬盘。但我又会想，也许这些都是命运，不过我从不抱怨。内存就常常抱怨，抱怨他们主板部门的复杂，抱怨他如何跟新来的杂牌内存不兼容，网卡和电视卡又是如何的冲突。&nbsp;<br/>　　我的朋友不多，内存算一个。他很瘦而我很胖，他动作很快，而我总是很慢。我们是一起来这台机器的，他总是不停地说，而我只是听，我从来不说。&nbsp;<br/>　　内存的头脑很简单，虽然英文名字叫Memory，可是他什么Memory都不会有，天大的事睡一觉就能忘个精光。我不说，但我会记得所有的细节。他说我这样忧郁的人不适合作技术活，迟早要精神分裂。我笑笑，因为我相信自己的容量。&nbsp;<br/>　　有时候我也很喜欢这份工作，简单，既不用像显示器那样一天到晚被老板盯着，也不用像光驱那样对付外面的光碟。只要和文件打交道就行了，无非是读读写写，很单纯安静的生活。直到有一天……&nbsp;<br/>　　我至今还记得那渐渐掀起的机箱盖子，从缺口伸进来的光柱越来越宽，也越来越亮。空气里弥漫着跳动的颗粒。那个时候，我看到了她。她是那么的纤细瘦弱，银白的外壳一闪一闪的。浑身上下的做工都很精致光洁，让我不禁惭愧自己的粗笨。&nbsp;<br/>　　等到数据线把我们连在一起，我才缓过神来。开机的那一刹那，我感到了电流和平时的不同。后来内存曾经笑话我，说我们这里只要有新人来，电流都会不同的，上次新内存来也是这样。我觉得他是胡扯。我尽量的保持镇定，显出一副很专业的样子，只是淡淡的向她问好并介绍工作环境。慢慢的，我知道了，她，IBM-DJSA220，是一个笔记本硬盘，在老板朋友的笔记本里做事。这次来是为了复制一些文件。我们聊得很开心。她告诉我很多旅行的趣闻，告诉我坐飞机是怎么样的，坐汽车的颠簸又是如何的不同，给我看很多漂亮的照片、游记，还有一次她从桌子上掉下来的历险故事。而我则卖弄各种网上下载来的故事和笑话。<br/>　　她笑得很开心。<br/>　　而我很惊讶自己可以说个不停。&nbsp;<br/>　　一个早晨，开机后我看到数据线上空荡荡的插口。她一共呆了7天。后来，我再也没有见过她。我有点后悔没有交换电子邮件，也没能和她道别。不忙的时候，我会一个人怀念伸进机箱的那束阳光。&nbsp;<br/>　　我不知道记忆这个词是什么意思，我有的只是她留下的许多文件。我把它们排的整整齐齐，放在我最常经过的地方。每次磁头从它们身上掠过，我都会感到一丝淡淡的惬意。&nbsp;<br/>　　但我没有想到老板会要我删除这些文件。我想争辩还有足够的空间，但毫无用处。于是，平生第一次违背命令，我偷偷修改了文件分配表。然后把它们都藏到了一个秘密的地方，再把那里标志成坏扇区。不会有人来过问坏扇区。而那里，就成了我唯一的秘密，我常常去看它们，虽然从不作停留。&nbsp;<br/>　　日子一天一天低重复，读取写入，读取写入……我以为永远都会这样继续下去，直到一天，老板要装xp却发现没有足够的空间。他发现了问题，想去修复那些坏扇区。&nbsp;<br/>　　我拒绝了。很快，我接到了新命令：格式化。<br/>　　我犹豫了很久……&nbsp;<br/>　　track&nbsp;0&nbsp;bad，disk&nbsp;unusable。（零磁道损坏，硬盘无法使用）<br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0712/22007122413133.jpg" border="0" alt=""/><br/><br/>　　我是一条内存。&nbsp;<br/>　　我在一台台式电脑里工作，但是我记不得我是从哪里来的，是什么牌子，因为我健忘。我的上司是cpu大哥，他是我们的老大。都说他是电脑的脑子，可是我看他的脑子实在是太小了，比我还要健忘。每天他总是不停地问我，某某页某某地址存的是什么？我总是不厌其烦地告诉他，可是不出一秒钟他又忘记了，又要问一遍。一次我说大哥你烦不烦，你就不能记住点有用的东西？他说“内存兄弟，我有苦衷啊，每天都在不停地做题，头晕眼花的，我也难啊。”&nbsp;<br/>　　其实我不愿意跟他计较，因为他脑子小，思维也很简单。虽然说他是我的上司，可是每次睡觉醒来，他连要干什么都不记得了，总是急急忙忙地找BIOS兄弟：“嘿，哥们，今天干什么来着？”BIOS总是很不耐烦地把每天必做的工作说一遍，然后就去睡觉了。接下来就轮到我和C哥瞎忙了。<br/>　　在机箱里的兄弟中，我最喜欢硬盘。他脑子大，记的东西多，而且记得牢。他说话的速度很慢，而且很少说错，这说明他很有深度，我这么感觉。CPU也这么想，不过CPU很笨，每次都忘了硬盘是谁。开机自检的时候总要问：“嘿，那家伙是谁？”&nbsp;<br/>　　“ST！”我总要重复一遍。&nbsp;<br/>　　硬盘很忧郁，我觉得像他这样忧郁的人不适合做技术活，迟早会精神分裂的，但是他不信。&nbsp;<br/>　　其实睡着的时候我总是把几乎所有的东西都忘记掉，但是我从来都不会忘记朋友。有一块地方叫做CMOS，那是我记忆的最深处，保存着硬盘、光驱的名字。有些东西应该很快忘掉，而有些东西应该永远记得。我在梦中总是这么想着。<br/>　　BIOS是一个很奇怪的家伙，他老是睡觉，但是却总是第一个醒过来。让我们自检，启动，然后接着睡觉。我知道如果我在CMOS里头把BIOS&nbsp;Shadow选项去掉，他就睡不成了，但是看着他晕晕乎乎的样子，也就不忍心这么做了。他对人总是爱搭不理，没有什么人了解他。但是这次硬盘恋爱的事，却使我重新认识了他。&nbsp;<br/>　　那是很久以前的事了，机箱里似乎来过一块笔记本硬盘，很可爱，说实话我也喜欢她。不过现在除了记得她可爱，别的都忘记了。这就是我比硬盘幸运的地方，我把所有应该忘记的都忘记了，但是他却什么都记得。&nbsp;<br/>　　自从笔记本硬盘走了之后，硬盘就变得很不正常。每次他的磁头经过一些地方的时候，我们都能感觉到电流很不正常。&nbsp;<br/>　　“硬盘这是怎么了？”我问CPU。&nbsp;<br/>　　“谁是硬盘？”&nbsp;<br/>　　我就知道和CPU没有办法交流，倒是BIOS没好气地说：“那个傻瓜恋爱了。”我不知道什么是恋爱，因为我记不住东西，似乎有一些人或者事在我生命中留下过痕迹，但是我都轻率地把他们忘记了。&nbsp;<br/>　　BIOS对我说：“对你来说记忆太容易了，所以你遗忘得更快，生命中能够永刻的记忆都带着痛楚。”我不懂，但是我知道BIOS曾经被刷写过，那时他很痛，像要死了一样。我的记忆是轻浮的，不像他们……我很羡慕他们，因为他们拥有回忆，而我没有，从此我也学会了忧郁，因为我在CMOS里面写下了“忧郁”两个字。&nbsp;<br/>　　硬盘一天比一天不对劲，终于有一天，CPU对问说：“下条指令是什么来着？”&nbsp;<br/>　　我一看，吓了一跳：“format！”（格式化）&nbsp;<br/>　　“是什么？”CPU很兴奋，这个没脑子的家伙。&nbsp;<br/>　　我还是告诉了他。我不知为什么这么做。&nbsp;<br/>　　硬盘犹豫了很久，终于说了一句：Track&nbsp;0&nbsp;bad，Disk&nbsp;unusable。&nbsp;<br/>　　电停了，很久很久，我在黑暗中数着时钟……&nbsp;<br/><br/>　　一个月后，硬盘回来了，也许最后的挣扎也没有使他摆脱残酷的命运，他被低格了。他什么也不记得了，如同一个婴儿，我们很难过，但是这未必不是一件好事，他以后不用痛苦了。&nbsp;<br/>　　为了恢复数据，笔记本硬盘回来了。“Hi，ST。”她说，“你不认识我了？”&nbsp;<br/>　　硬盘没有说话，似乎低格对他的伤害很大。&nbsp;<br/>　　过了一会，他说：“对不起，好像我们没有见过吧……”<br/>　　笔记本硬盘显得很伤心，我能感觉到她带泪的电流。<br/>　　“想不到连你也这么健忘。”&nbsp;<br/>　　“哦……”硬盘没有回答。&nbsp;<br/>　　我很难过，笔记本硬盘的心里依然记着他，他却把一切都忘了，而那正是他最不希望忘却的。究竟是幸运，还是痛苦，我说不上来，只是觉得造化弄人，有一种淡淡的悲凉。&nbsp;<br/>　　这时从BIOS传来一阵奇怪的电流，我感觉到硬盘的表情在变化，由漠然到兴奋，由兴奋到哀伤，由哀伤到狂喜……&nbsp;<br/>　　“IBM，你回来了……”&nbsp;<br/>　　……&nbsp;<br/>　　后来BIOS对我说，其实他并没有睡觉，自从硬盘把那些文件藏起来以后，他就料到会有这样的结局，于是偷偷地把其中一些文件放到了备份里。<br/>　　“幸好我是DUAL&nbsp;BIOS，虽然藏得不多，还足够让他想起来……”&nbsp;<br/>　　我想BIOS保存这些东西的时候一定很疼，当我问他“为什么这么做”时，BIOS轻描淡&nbsp;<br/>　　写地说：“呵呵，我们是朋友嘛。”&nbsp;<br/>　　嗯，朋友，永远的朋友……<br/><br/><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0712/c200712241320.jpg" border="0" alt=""/><br/>]]></summary>
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	  <title type="html"><![CDATA[电赛 上海赛区颁奖]]></title>
	  <author>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
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	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=4" label="草兄随笔" /> 
	  <updated>2007-12-19T09:26:09+08:00</updated>
	  <published>2007-12-19T09:26:09+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<img src="http://www.utou.net/attachments/month_0712/62007121992423.JPG" border="0" alt=""/><br/><span style="font-size:16pt">&nbsp;<span style="color:Green">&nbsp;&nbsp;&nbsp;全国大学生电子设计竞赛的颁奖居然拖到了昨天才颁奖，我作为指导教师，跟着几个学生和另外几个指导教师也去参加了下。&nbsp;<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;我们这届获得的成绩还是蛮不错的，2个上海赛区一等奖。&nbsp;<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;可惜啊，我们学校领导不识货（我只能说他们不识货了），一点也没有关心的意思，只是在校门口大屏幕上打了几个“热烈祝贺我校通信系学生在2007年全国大学生电子设计竞赛中获得2个一等奖”，就这几个字，还是“残缺不全”的（点阵屏上有坏点！晕倒！）。<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;就说这次去领奖吧，人家学校都是特意安排一辆校车送去交大的。看看我们跟人家的差别，居然安排一辆“便车”，是其他部门安排学生去面试，“顺便”送我们6个学生和6个指导教师去交大。&nbsp;顺便就说了，回来时居然也是顺便搭车回来，还要我们到处找校车！老大们，我们获的是一等奖啊。而且其中一组还是本科组一等奖啊！&nbsp;校领导们，别忘了我们只是高职啊！&nbsp;是不是觉得这个比赛没意义啊。。。？&nbsp;&nbsp;&nbsp;我倒现在想09年还搞不搞，这样子的话，太没意思了！<br/><br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;牢骚发完，&nbsp;上几张颁奖会上照片吧！</span></span><br/><br/><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0712/62007121992459.JPG" border="0" alt=""/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0712/62007121992541.JPG" border="0" alt=""/><br/><br/>我校的作品：<br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0712/r200712199262.JPG" border="0" alt=""/><br/><br/>还有更多的照片到我相册里去看吧！<br/>]]></summary>
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	  <title type="html"><![CDATA[一篇很棒的 电子元器件知识]]></title>
	  <author>
		 <name>kimiyang</name>
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		 <email>yang_clei@hotmail.com</email>
	  </author>
	  <category term="" scheme="http://www.utou.net/default.asp?cateID=9" label="草屋科技" /> 
	  <updated>2007-11-22T10:29:29+08:00</updated>
	  <published>2007-11-22T10:29:29+08:00</published>
		  <summary type="html"><![CDATA[<span style="color:Blue"><span style="font-size:11pt">电子元器件基础知识（1）——电阻</span></span><br/><br/>导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。<span style="color:Purple">一、电阻的型号命名方法：</span><br/><br/>国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）<br/>第一部分：主称&nbsp;，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。<br/>第二部分：材料&nbsp;，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。<br/>第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频&nbsp;、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。<br/>第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等&nbsp;&nbsp;例如：R&nbsp;T&nbsp;1&nbsp;1&nbsp;型普通碳膜电阻<br/><br/><span style="color:Purple">二、电阻器的分类&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;</span>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br/>1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。<br/>2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。<br/>3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。<br/>4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">三、主要特性参数</span><br/>1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。<br/>2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级<br/>3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。<br/>线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500<br/>非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100<br/>4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。<br/>5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。<br/>6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。<br/>7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。<br/>8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。<br/>9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">四、电阻器阻值标示方法</span><br/>1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。<br/>2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;表示允许误差的文字符号<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;文字符号&nbsp;D&nbsp;F&nbsp;G&nbsp;J&nbsp;K&nbsp;M<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;允许偏差&nbsp;±0.5%&nbsp;±1%&nbsp;±2%&nbsp;±5%&nbsp;±10%&nbsp;±20%<br/>3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。<br/>4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。<br/>黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20%<br/>当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，&nbsp;第三位为乘方数，第四位为偏差。&nbsp;<br/>当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，&nbsp;第四位为乘方数，&nbsp;第五位为偏差。&nbsp;<br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0711/h20071122102646.gif" border="0" alt=""/><br/><br/><br/><span style="color:Purple">五、常用电阻器</span><br/><br/>1、电位器<br/>电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。<br/>1.1&nbsp;合成碳膜电位器<br/>电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单，是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大，&nbsp;耐潮性以及阻值稳定性差。<br/>1.2&nbsp;有机实心电位器<br/>有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。<br/>1.3&nbsp;金属玻璃铀电位器<br/>用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。<br/>1.4&nbsp;绕线电位器<br/>绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。<br/>1.5&nbsp;金属膜电位器<br/>金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。<br/>1.6&nbsp;导电塑料电位器<br/>用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。<br/>1.7&nbsp;带开关的电位器<br/>有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器<br/>1.8&nbsp;预调式电位器<br/>预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。<br/>1.9&nbsp;直滑式电位器<br/>采用直滑方式改变电阻值。<br/>1.10&nbsp;双连电位器<br/>有异轴双连电位器和同轴双连电位器<br/>1.11&nbsp;无触点电位器<br/>无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。<br/>2、实芯碳质电阻器<br/>用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。<br/>3、绕线电阻器<br/>用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高，&nbsp;稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。<br/>4、薄膜电阻器<br/>用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下：<br/>4.1&nbsp;碳膜电阻器<br/>将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。<br/>4.2&nbsp;金属膜电阻器。<br/>用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声，&nbsp;温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。<br/>4.3&nbsp;金属氧化膜电阻器<br/>在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。<br/>4.4&nbsp;合成膜电阻<br/>将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压，&nbsp;高阻，&nbsp;小型电阻器。<br/>5、金属玻璃铀电阻器<br/>将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。&nbsp;耐潮湿，&nbsp;高温，&nbsp;温度系数小，主要应用于厚膜电路。<br/>6、贴片电阻SMT<br/>片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。<br/>7、敏感电阻<br/>敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体，&nbsp;磁场，压力等作用敏感的电阻器。&nbsp;敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型，如：t.&nbsp;v等。<br/>7.1、压敏电阻<br/>主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性。<br/>7.2、湿敏电阻<br/>由感湿层，电极，绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化物湿敏电阻。氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小，缺点为测试范围小，特性重复性不好，受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性，较少使用。氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。<br/>7.3、光敏电阻<br/>光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件，当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。<br/>7.4、气敏电阻<br/>利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。<br/>7.5、力敏电阻<br/>力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计，半导体话筒，压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言，合金电阻器具有更高灵敏度。<br/>7.6、热敏电阻<br/>热敏电阻是敏感元件的一类,其电阻值会随着热敏电阻本体温度的变化呈现出阶跃性的变化,具有半导体特性.<br/>热敏电阻按照温度系数的不同分为:&nbsp;&nbsp;正温度系数热敏电阻(简称PTC热敏电阻)<br/>&nbsp;　&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;负温度系数热敏电阻(简称NTC热敏电阻)&nbsp;<br/><br/>　<br/><br/><span style="color:Purple">正温度热敏电阻(PTC&nbsp;Thermistor)</span><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0711/120071122102735.jpg" border="0" alt=""/><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0711/220071122102748.jpg" border="0" alt=""/><br/><br/><br/>PTC是Positive&nbsp;Temperature&nbsp;Coefficient&nbsp;的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件.通常我们提到的PTC是指正温度系数热敏电阻,简称PTC热敏电阻.&nbsp;<br/>PTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时,&nbsp;它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高.<br/>&nbsp;&nbsp;<br/>PTC热敏电阻根据其材质的不同分为:&nbsp;&nbsp;&nbsp;陶瓷PTC热敏电阻<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;有机高分子PTC热敏电阻<br/>&nbsp;&nbsp;<br/>目前大量被使用的PTC热敏电阻种类:&nbsp;&nbsp;&nbsp;恒温加热用PTC热敏电阻<br/>&nbsp;　&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;过流保护用PTC热敏电阻<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;空气加热用PTC热敏电阻<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;延时启动用PTC热敏电阻<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;传&nbsp;感&nbsp;器用PTC热敏电阻<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;自动消磁用PTC热敏电阻<br/><br/><br/>一般情况下,有机高分子PTC热敏电阻适合过流保护用途,陶瓷PTC热敏电阻可适用于以上所列各种用途.<br/><br/>负温度热敏电阻(NTC&nbsp;Thermistor)<br/><br/><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0711/b20071122102828.jpg" border="0" alt=""/><br/><br/><img src="http://www.utou.net/attachments/month_0711/n20071122102844.jpg" border="0" alt=""/><br/><br/><br/>NTC是Negative&nbsp;Temperature&nbsp;Coefficient&nbsp;的缩写,意思是负的温度系数,泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件.通常我们提到的NTC是指负温度系数热敏电阻,简称NTC热敏电阻.&nbsp;<br/>NTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的减小.<br/>&nbsp;　<br/>NTC热敏电阻是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的.这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料.温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低.<br/>&nbsp;　<br/><br/>NTC热敏电阻根据其用途的不同分为:&nbsp;&nbsp;&nbsp;功率型NTC热敏电阻<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;补偿型NTC热敏电阻<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;测温型NTC热敏电阻<br/><br/><span style="color:Blue"><span style="font-size:11pt">电子元器件基础知识（2）——电容</span></span><br/><br/>电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，&nbsp;旁路，滤波，调谐回路，&nbsp;能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">一、电容器的型号命名方法</span>&nbsp;<br/>国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。&nbsp;<br/>第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。&nbsp;<br/>第二部分：材料，用字母表示。&nbsp;<br/>第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。&nbsp;<br/>第四部分：序号，用数字表示。&nbsp;<br/>用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">二、电容器的分类</span>&nbsp;<br/>按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。&nbsp;<br/>按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。&nbsp;<br/>按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。&nbsp;<br/>高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。&nbsp;<br/>低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。&nbsp;<br/>滤&nbsp;波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。&nbsp;<br/>调&nbsp;谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。&nbsp;<br/>高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。&nbsp;<br/>低频耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。&nbsp;<br/>小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">三、常用电容器</span>&nbsp;<br/>1、铝电解电容器&nbsp;<br/>用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波&nbsp;<br/>2、钽电解电容器&nbsp;<br/>用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可*性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可*机件中&nbsp;<br/>3、薄膜电容器&nbsp;<br/>结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路&nbsp;<br/>4、瓷介电容器&nbsp;<br/>穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路&nbsp;<br/>5、独石电容器&nbsp;<br/>(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可*和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路&nbsp;<br/>6、纸质电容器&nbsp;<br/>一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量　&nbsp;<br/>一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路&nbsp;<br/>7、微调电容器&nbsp;<br/>电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。&nbsp;<br/>瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。&nbsp;<br/>8、云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。&nbsp;<br/>线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用&nbsp;<br/>9、陶瓷电容器&nbsp;<br/>用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。&nbsp;<br/>具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路&nbsp;<br/>云母电容器就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。频率特性好，Q值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器&nbsp;<br/>10、玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成&#34;独石&#34;结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008　&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">四、电容器主要特性参数：</span>&nbsp;<br/>1、标称电容量和允许偏差&nbsp;<br/>标称电容量是标志在电容器上的电容量。&nbsp;<br/>电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。&nbsp;<br/>精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、&nbsp;Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）&nbsp;<br/>一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。&nbsp;<br/>2、额定电压&nbsp;<br/>在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。&nbsp;<br/>3、绝缘电阻&nbsp;<br/>直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.&nbsp;<br/>当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。&nbsp;<br/>电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。&nbsp;<br/>4、损耗&nbsp;<br/>电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。　&nbsp;<br/>在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。<br/><br/>5、频率特性&nbsp;<br/>随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">五、电容器容量标示</span>&nbsp;<br/>1、直标法&nbsp;<br/>用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。&nbsp;<br/>2、文字符号法&nbsp;<br/>用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,&nbsp;2u2表示2.2uF.&nbsp;<br/>3、色标法&nbsp;<br/>用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。&nbsp;<br/>电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。<br/><br/><span style="color:Blue"><span style="font-size:11pt">电子元器件基础知识（3）——电感线圈</span></span><br/><br/>电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利&nbsp;(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">一、电感的分类</span>&nbsp;<br/>按&nbsp;电感形式&nbsp;分类：固定电感、可变电感。&nbsp;<br/>按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。&nbsp;<br/>按&nbsp;工作性质&nbsp;分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。&nbsp;<br/>按&nbsp;绕线结构&nbsp;分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">二、电感线圈的主要特性参数</span>&nbsp;<br/>1、电感量L&nbsp;<br/>电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。&nbsp;<br/>2、感抗XL&nbsp;<br/>电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL&nbsp;<br/>3、品质因素Q&nbsp;<br/>品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R&nbsp;<br/>线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。&nbsp;<br/>4、分布电容&nbsp;<br/>线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。&nbsp;<br/><br/><span style="color:Purple">三、常用线圈</span>&nbsp;<br/>1、单层线圈&nbsp;<br/>单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。&nbsp;<br/>2、蜂房式线圈&nbsp;<br/>如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布电容越小&nbsp;<br/>3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈&nbsp;<br/>线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯，可增加电感量和提高线圈的品质因素。&nbsp;<br/>4、铜芯线圈&nbsp;<br/>铜芯线圈在超短波范围应用较多，利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量，这种调整比较方便、耐用。&nbsp;<br/>5、色码电感器&nbsp;<br/>色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。&nbsp;<br/>6、阻流圈（扼流圈）&nbsp;<br/>限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。&nbsp;<br/>7、偏转线圈&nbsp;<br/>偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。&nbsp;<br/><br/>变压器<br/>&nbsp;<br/>变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件，当初级线圈中通有交流电流时，铁芯（或磁芯）中便产生交流磁通，使次级线圈中感应出电压（或电流）。变压器由铁芯（或磁芯）和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。&nbsp;<br/>一、分类&nbsp;<br/>按冷却方式分类：干式（自冷）变压器、油浸（自冷）变压器、氟化物（蒸发冷却）变压器。&nbsp;<br/>按防潮方式分类：开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。&nbsp;<br/>按铁芯或线圈结构分类：芯式变压器（插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯）、壳式变压器（插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯）、环型变压器、金属箔变压器。&nbsp;<br/>按电源相数分类：单相变压器、三相变压器、多相变压器。&nbsp;<br/>按用途分类：电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。&nbsp;<br/>二、电源变压器的特性参数&nbsp;<br/>1&nbsp;工作频率&nbsp;<br/>变压器铁芯损耗与频率关系很大，故应根据使用频率来设计和使用，这种频率称工作频率。&nbsp;<br/>2&nbsp;额定功率&nbsp;<br/>在规定的频率和电压下，变压器能长期工作，而不超过规定温升的输出功率。&nbsp;<br/>3&nbsp;额定电压&nbsp;<br/>指在变压器的线圈上所允许施加的电压，工作时不得大于规定值。&nbsp;<br/>4&nbsp;电压比&nbsp;<br/>指变压器初级电压和次级电压的比值，有空载电压比和负载电压比的区别。&nbsp;<br/>5&nbsp;空载电流&nbsp;<br/>变压器次级开路时，初级仍有一定的电流，这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流（产生磁通）和铁损电流（由铁芯损耗引起）组成。对于50Hz电源变压器而言，空载电流基本上等于磁化电流。&nbsp;<br/>6&nbsp;空载损耗：指变压器次级开路时，在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗，其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗（铜损），这部分损耗很小。&nbsp;<br/>7&nbsp;效率&nbsp;<br/>指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大，效率就愈高。&nbsp;<br/>8&nbsp;绝缘电阻&nbsp;<br/>表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。&nbsp;<br/>三、音频变压器和高频变压器特性参数&nbsp;<br/>1&nbsp;频率响应&nbsp;<br/>指变压器次级输出电压随工作频率变化的特性。&nbsp;<br/>2&nbsp;通频带&nbsp;<br/>如果变压器在中间频率的输出电压为U0，当输出电压（输入电压保持不变）下降到0.707U0时的频率范围，称为变压器的通频带B。&nbsp;<br/>3&nbsp;初、次级阻抗比&nbsp;<br/>变压器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri,使变压器初、次级阻抗匹配，则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下，变压器工作在最佳状态，传输效率最高。<br/><span style="color:Blue"><span style="font-size:11pt"><br/>电子元器件基础知识（4）——半导体器件</span></span><br/><br/>一、&nbsp;中国半导体器件型号命名方法<br/>半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：<br/>第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管<br/>第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。<br/>第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F&lt;3MHz,Pc&lt;1W)、G-高频小功率管（f&gt;3MHz,Pc&lt;1W）、D-低频大功率管（f&lt;3MHz,Pc&gt;1W）、A-高频大功率管（f&gt;3MHz,Pc&gt;1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。<br/>第四部分：用数字表示序号<br/>第五部分：用汉语拼音字母表示规格号<br/>例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管&nbsp;<br/><br/>日本半导体分立器件型号命名方法<br/>二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：<br/>第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。<br/>第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。<br/>第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N&nbsp;沟道场效应管、M-双向可控硅。<br/>第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。<br/>第五部分：&nbsp;用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。&nbsp;<br/><br/>美国半导体分立器件型号命名方法<br/>三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：<br/>第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。<br/>第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。<br/>第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。<br/>第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。<br/>第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA&nbsp;注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。&nbsp;<br/><br/>四、&nbsp;国际电子联合会半导体器件型号命名方法<br/>德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：<br/>第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV&nbsp;如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV&nbsp;如硅、C-器件使用材料的Eg&gt;1.3eV&nbsp;如砷化镓、D-器件使用材料的Eg&lt;0.6eV&nbsp;如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料<br/>第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。<br/>第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。<br/>第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。<br/>除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：<br/>1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。<br/>2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。<br/>3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。<br/>如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。&nbsp;<br/><br/>五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法<br/>欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。<br/>第一部分：O-表示半导体器件<br/>第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。<br/>第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。<br/>第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。<br/>俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。&nbsp;<br/><br/>一、半导体二极管参数符号及其意义<br/>CT---势垒电容<br/>Cj---结（极间）电容，&nbsp;表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容<br/>Cjv---偏压结电容<br/>Co---零偏压电容<br/>Cjo---零偏压结电容<br/>Cjo/Cjn---结电容变化<br/>Cs---管壳电容或封装电容<br/>Ct---总电容<br/>CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比<br/>CTC---电容温度系数<br/>Cvn---标称电容<br/>IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流<br/>IF（AV）---正向平均电流<br/>IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。<br/>IH---恒定电流、维持电流。<br/>Ii---&nbsp;发光二极管起辉电流<br/>IFRM---正向重复峰值电流<br/>IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）<br/>Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流<br/>IF(ov)---正向过载电流<br/>IL---光电流或稳流二极管极限电流<br/>ID---暗电流<br/>IB2---单结晶体管中的基极调制电流<br/>IEM---发射极峰值电流<br/>IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流<br/>IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流<br/>ICM---最大输出平均电流<br/>IFMP---正向脉冲电流<br/>IP---峰点电流<br/>IV---谷点电流<br/>IGT---晶闸管控制极触发电流<br/>IGD---晶闸管控制极不触发电流<br/>IGFM---控制极正向峰值电流<br/>IR（AV）---反向平均电流<br/>IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。<br/>IRM---反向峰值电流<br/>IRR---晶闸管反向重复平均电流<br/>IDR---晶闸管断态平均重复电流<br/>IRRM---反向重复峰值电流<br/>IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）<br/>Irp---反向恢复电流<br/>Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流<br/>Izk---稳压管膝点电流<br/>IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流<br/>IZSM---稳压二极管浪涌电流<br/>IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流<br/>iF---正向总瞬时电流<br/>iR---反向总瞬时电流<br/>ir---反向恢复电流<br/>Iop---工作电流<br/>Is---稳流二极管稳定电流<br/>f---频率<br/>n---电容变化指数；电容比<br/>Q---优值（品质因素）<br/>δvz---稳压管电压漂移<br/>di/dt---通态电流临界上升率<br/>dv/dt---通态电压临界上升率<br/>PB---承受脉冲烧毁功率<br/>PFT（AV）---正向导通平均耗散功率<br/>PFTM---正向峰值耗散功率<br/>PFT---正向导通总瞬时耗散功率<br/>Pd---耗散功率<br/>PG---门极平均功率<br/>PGM---门极峰值功率<br/>PC---控制极平均功率或集电极耗散功率<br/>Pi---输入功率<br/>PK---最大开关功率<br/>PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率<br/>PMP---最大漏过脉冲功率<br/>PMS---最大承受脉冲功率<br/>Po---输出功率<br/>PR---反向浪涌功率<br/>Ptot---总耗散功率<br/>Pomax---最大输出功率<br/>Psc---连续输出功率<br/>PSM---不重复浪涌功率<br/>PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率<br/>RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻<br/>RBB---双基极晶体管的基极间电阻<br/>RE---射频电阻<br/>RL---负载电阻<br/>Rs(rs)----串联电阻<br/>Rth----热阻<br/>R(th)ja----结到环境的热阻<br/>Rz(ru)---动态电阻<br/>R(th)jc---结到壳的热阻<br/>r&nbsp;δ---衰减电阻<br/>r(th)---瞬态电阻<br/>Ta---环境温度<br/>Tc---壳温<br/>td---延迟时间<br/>tf---下降时间<br/>tfr---正向恢复时间<br/>tg---电路换向关断时间<br/>tgt---门极控制极开通时间<br/>Tj---结温<br/>Tjm---最高结温<br/>ton---开通时间<br/>toff---关断时间<br/>tr---上升时间<br/>trr---反向恢复时间<br/>ts---存储时间<br/>tstg---温度补偿二极管的贮成温度<br/>a---温度系数<br/>λp---发光峰值波长<br/>△&nbsp;λ---光谱半宽度<br/>η---单结晶体管分压比或效率<br/>VB---反向峰值击穿电压<br/>Vc---整流输入电压<br/>VB2B1---基极间电压<br/>VBE10---发射极与第一基极反向电压<br/>VEB---饱和压降<br/>VFM---最大正向压降（正向峰值电压）<br/>VF---正向压降（正向直流电压）<br/>△VF---正向压降差<br/>VDRM---断态重复峰值电压<br/>VGT---门极触发电压<br/>VGD---门极不触发电压<br/>VGFM---门极正向峰值电压<br/>VGRM---门极反向峰值电压<br/>VF（AV）---正向平均电压<br/>Vo---交流输入电压<br/>VOM---最大输出平均电压<br/>Vop---工作电压<br/>Vn---中心电压<br/>Vp---峰点电压<br/>VR---反向工作电压（反向直流电压）<br/>VRM---反向峰值电压（最高测试电压）<br/>V（BR）---击穿电压<br/>Vth---阀电压（门限电压）<br/>VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）<br/>VRWM---反向工作峰值电压<br/>V&nbsp;v---谷点电压<br/>Vz---稳定电压<br/>△Vz---稳压范围电压增量<br/>Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压<br/>av---电压温度系数<br/>Vk---膝点电压（稳流二极管）<br/>VL&nbsp;---极限电压<br/>二、双极型晶体管参数符号及其意义<br/>Cc---集电极电容<br/>Ccb---集电极与基极间电容<br/>Cce---发射极接地输出电容<br/>Ci---输入电容<br/>Cib---共基极输入电容<br/>Cie---共发射极输入电容<br/>Cies---共发射极短路输入电容<br/>Cieo---共发射极开路输入电容<br/>Cn---中和电容（外电路参数）<br/>Co---输出电容<br/>Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容<br/>Coe---共发射极输出电容<br/>Coeo---共发射极开路输出电容<br/>Cre---共发射极反馈电容<br/>Cic---集电结势垒电容<br/>CL---负载电容（外电路参数）<br/>Cp---并联电容（外电路参数）<br/>BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压<br/>BVceo---基极开路，CE结击穿电压<br/>BVebo---&nbsp;集电极开路EB结击穿电压<br/>BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压<br/>BV&nbsp;cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压<br/>D---占空比<br/>fT---特征频率<br/>fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率<br/>hFE---共发射极静态电流放大系数<br/>hIE---共发射极静态输入阻抗<br/>hOE---共发射极静态输出电导<br/>h&nbsp;RE---共发射极静态电压反馈系数<br/>hie---共发射极小信号短路输入阻抗<br/>hre---共发射极小信号开路电压反馈系数<br/>hfe---共发射极小信号短路电压放大系数<br/>hoe---共发射极小信号开路输出导纳<br/>IB---基极直流电流或交流电流的平均值<br/>Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值<br/>IE---发射极直流电流或交流电流的平均值<br/>Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流<br/>Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流<br/>Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流<br/>Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流<br/>Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流<br/>Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流<br/>ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。<br/>IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值<br/>ICMP---集电极最大允许脉冲电流<br/>ISB---二次击穿电流<br/>IAGC---正向自动控制电流<br/>Pc---集电极耗散功率<br/>PCM---集电极最大允许耗散功率<br/>Pi---输入功率<br/>Po---输出功率<br/>Posc---振荡功率<br/>Pn---噪声功率<br/>Ptot---总耗散功率<br/>ESB---二次击穿能量<br/>rbb&#39;---基区扩展电阻（基区本征电阻）<br/>rbb&#39;Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积<br/>rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻<br/>roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻<br/>RE---外接发射极电阻（外电路参数）<br/>RB---外接基极电阻（外电路参数）<br/>Rc&nbsp;---外接集电极电阻（外电路参数）<br/>RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）<br/>RL---负载电阻（外电路参数）<br/>RG---信号源内阻<br/>Rth---热阻<br/>Ta---环境温度<br/>Tc---管壳温度<br/>Ts---结温<br/>Tjm---最大允许结温<br/>Tstg---贮存温度<br/>td----延迟时间<br/>tr---上升时间<br/>ts---存贮时间<br/>tf---下降时间<br/>ton---开通时间<br/>toff---关断时间<br/>VCB---集电极-基极（直流）电压<br/>VCE---集电极-发射极（直流）电压<br/>VBE---基极发射极（直流）电压<br/>VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压<br/>VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压<br/>VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压<br/>VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压<br/>VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压<br/>VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压<br/>Vp---穿通电压。<br/>VSB---二次击穿电压<br/>VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）<br/>Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）<br/>VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）<br/>VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降<br/>VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）<br/>VAGC---正向自动增益控制电压<br/>Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值<br/>V&nbsp;n---噪声电压<br/>Cj---结（极间）电容，&nbsp;表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容<br/>Cjv---偏压结电容<br/>Co---零偏压电容<br/>Cjo---零偏压结电容<br/>Cjo/Cjn---结电容变化<br/>Cs---管壳电容或封装电容<br/>Ct---总电容<br/>CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比<br/>CTC---电容温度系数<br/>Cvn---标称电容<br/>IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流<br/>IF（AV）---正向平均电流<br/>IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。<br/>IH---恒定电流、维持电流。<br/>Ii---&nbsp;发光二极管起辉电流<br/>IFRM---正向重复峰值电流<br/>IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）<br/>Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流<br/>IF(ov)---正向过载电流<br/>IL---光电流或稳流二极管极限电流<br/>ID---暗电流<br/>IB2---单结晶体管中的基极调制电流<br/>IEM---发射极峰值电流<br/>IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流<br/>IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流<br/>ICM---最大输出平均电流<br/>IFMP---正向脉冲电流<br/>IP---峰点电流<br/>IV---谷点电流<br/>IGT---晶闸管控制极触发电流<br/>IGD---晶闸管控制极不触发电流<br/>IGFM---控制极正向峰值电流<br/>IR（AV）---反向平均电流<br/>IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。<br/>IRM---反向峰值电流<br/>IRR---晶闸管反向重复平均电流<br/>IDR---晶闸管断态平均重复电流<br/>IRRM---反向重复峰值电流<br/>IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）<br/>Irp---反向恢复电流<br/>Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流<br/>Izk---稳压管膝点电流<br/>IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流<br/>IZSM---稳压二极管浪涌电流<br/>IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流<br/>iF---正向总瞬时电流<br/>iR---反向总瞬时电流<br/>ir---反向恢复电流<br/>Iop---工作电流<br/>Is---稳流二极管稳定电流<br/>f---频率<br/>n---电容变化指数；电容比<br/>Q---优值（品质因素）<br/>δvz---稳压管电压漂移<br/>di/dt---通态电流临界上升率<br/>dv/dt---通态电压临界上升率<br/>PB---承受脉冲烧毁功率<br/>PFT（AV）---正向导通平均耗散功率<br/>PFTM---正向峰值耗散功率<br/>PFT---正向导通总瞬时耗散功率<br/>Pd---耗散功率<br/>PG---门极平均功率<br/>PGM---门极峰值功率<br/>PC---控制极平均功率或集电极耗散功率<br/>Pi---输入功率<br/>PK---最大开关功率<br/>PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率<br/>PMP---最大漏过脉冲功率<br/>PMS---最大承受脉冲功率<br/>Po---输出功率<br/>PR---反向浪涌功率<br/>Ptot---总耗散功率<br/>Pomax---最大输出功率<br/>Psc---连续输出功率<br/>PSM---不重复浪涌功率<br/>PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率<br/>RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻<br/>RBB---双基极晶体管的基极间电阻<br/>RE---射频电阻<br/>RL---负载电阻<br/>Rs(rs)----串联电阻<br/>Rth----热阻<br/>R(th)ja----结到环境的热阻<br/>Rz(ru)---动态电阻<br/>R(th)jc---结到壳的热阻<br/>r&nbsp;δ---衰减电阻<br/>r(th)---瞬态电阻<br/>Ta---环境温度<br/>Tc---壳温<br/>td---延迟时间<br/>tf---下降时间<br/>tfr---正向恢复时间<br/>tg---电路换向关断时间<br/>tgt---门极控制极开通时间<br/>Tj---结温<br/>Tjm---最高结温<br/>ton---开通时间<br/>toff---关断时间<br/>tr---上升时间<br/>trr---反向恢复时间<br/>ts---存储时间<br/>tstg---温度补偿二极管的贮成温度<br/>a---温度系数<br/>λp---发光峰值波长<br/>△&nbsp;λ---光谱半宽度<br/>η---单结晶体管分压比或效率<br/>VB---反向峰值击穿电压<br/>Vc---整流输入电压<br/>VB2B1---基极间电压<br/>VBE10---发射极与第一基极反向电压<br/>VEB---饱和压降<br/>VFM---最大正向压降（正向峰值电压）<br/>VF---正向压降（正向直流电压）<br/>△VF---正向压降差<br/>VDRM---断态重复峰值电压<br/>VGT---门极触发电压<br/>VGD---门极不触发电压<br/>VGFM---门极正向峰值电压<br/>VGRM---门极反向峰值电压<br/>VF（AV）---正向平均电压<br/>Vo---交流输入电压<br/>VOM---最大输出平均电压<br/>Vop---工作电压<br/>Vn---中心电压<br/>Vp---峰点电压<br/>VR---反向工作电压（反向直流电压）<br/>VRM---反向峰值电压（最高测试电压）<br/>V（BR）---击穿电压<br/>Vth---阀电压（门限电压）<br/>VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）<br/>VRWM---反向工作峰值电压<br/>V&nbsp;v---谷点电压<br/>Vz---稳定电压<br/>△Vz---稳压范围电压增量<br/>Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压<br/>av---电压温度系数<br/>Vk---膝点电压（稳流二极管）<br/>VL&nbsp;---极限电压<br/>三、场效应管参数符号意义<br/>Cds---漏-源电容<br/>Cdu---漏-衬底电容<br/>Cgd---栅-源电容<br/>Cgs---漏-源电容<br/>Ciss---栅短路共源输入电容<br/>Coss---栅短路共源输出电容<br/>Crss---栅短路共源反向传输电容<br/>D---占空比（占空系数，外电路参数）<br/>di/dt---电流上升率（外电路参数）<br/>dv/dt---电压上升率（外电路参数）<br/>ID---漏极电流（直流）<br/>IDM---漏极脉冲电流<br/>ID(on)---通态漏极电流<br/>IDQ---静态漏极电流（射频功率管）<br/>IDS---漏源电流<br/>IDSM---最大漏源电流<br/>IDSS---栅-源短路时，漏极电流<br/>IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）<br/>IG---栅极电流（直流）<br/>IGF---正向栅电流<br/>IGR---反向栅电流<br/>IGDO---源极开路时，截止栅电流<br/>IGSO---漏极开路时，截止栅电流<br/>IGM---栅极脉冲电流<br/>IGP---栅极峰值电流<br/>IF---二极管正向电流<br/>IGSS---漏极短路时截止栅电流<br/>IDSS1---对管第一管漏源饱和电流<br/>IDSS2---对管第二管漏源饱和电流<br/>Iu---衬底电流<br/>Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）<br/>gfs---正向跨导<br/>Gp---功率增益<br/>Gps---共源极中和高频功率增益<br/>GpG---共栅极中和高频功率增益<br/>GPD---共漏极中和高频功率增益<br/>ggd---栅漏电导<br/>gds---漏源电导<br/>K---失调电压温度系数<br/>Ku---传输系数<br/>L---负载电感（外电路参数）<br/>LD---漏极电感<br/>Ls---源极电感<br/>rDS---漏源电阻<br/>rDS(on)---漏源通态电阻<br/>rDS(of)---漏源断态电阻<br/>rGD---栅漏电阻<br/>rGS---栅源电阻<br/>Rg---栅极外接电阻（外电路参数）<br/>RL---负载电阻（外电路参数）<br/>R(th)jc---结壳热阻<br/>R(th)ja---结环热阻<br/>PD---漏极耗散功率<br/>PDM---漏极最大允许耗散功率<br/>PIN--输入功率<br/>POUT---输出功率<br/>PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）<br/>to(on)---开通延迟时间<br/>td(off)---关断延迟时间<br/>ti---上升时间<br/>ton---开通时间<br/>toff---关断时间<br/>tf---下降时间<br/>trr---反向恢复时间<br/>Tj---结温<br/>Tjm---最大允许结温<br/>Ta---环境温度<br/>Tc---管壳温度<br/>Tstg---贮成温度<br/>VDS---漏源电压（直流）<br/>VGS---栅源电压（直流）<br/>VGSF--正向栅源电压（直流）<br/>VGSR---反向栅源电压（直流）<br/>VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）<br/>VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）<br/>Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）<br/>VGS(th)---开启电压或阀电压<br/>V（BR）DSS---漏源击穿电压<br/>V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压<br/>VDS(on)---漏源通态电压<br/>VDS(sat)---漏源饱和电压<br/>VGD---栅漏电压（直流）<br/>Vsu---源衬底电压（直流）<br/>VDu---漏衬底电压（直流）<br/>VGu---栅衬底电压（直流）<br/>Zo---驱动源内阻<br/>η---漏极效率（射频功率管）<br/>Vn---噪声电压<br/>aID---漏极电流温度系数<br/>ards---漏源电阻温度系数<br/><br/><span style="color:Blue"><span style="font-size:11pt">电子元器件基础知识（5）——继电器</span></span><br/><br/>一、继电器的工作原理和特性&nbsp;　　<br/>继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路），通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。<br/>1、电磁继电器的工作原理和特性<br/>电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、触点簧片等组成的。只要在线圈两端加上一定的电压，线圈中就会流过一定的电流，从而产生电磁效应，衔铁就会在电磁力吸引的作用下克服返回弹簧的拉力吸向铁芯，从而带动衔铁的动触点与静触点（常开触点）吸合。当线圈断电后，电磁的吸力也随之消失，衔铁就会在弹簧的反作用力返回原来的位置，使动触点与原来的静触点（常闭触点）吸合。这样吸合、释放，从而达到了在电路中的导通、切断的目的。对于继电器的“常开、常闭”触点，可以这样来区分：继电器线圈未通电时处于断开状态的静触点，称为“常开触点”；处于接通状态的静触点称为“常闭触点”。<br/>2、热敏干簧继电器的工作原理和特性<br/>热敏干簧继电器是一种利用热敏磁性材料检测和控制温度的新型热敏开关。它由感温磁环、恒磁环、干簧管、导热安装片、塑料衬底及其他一些附件组成。热敏干簧继电器不用线圈励磁，而由恒磁环产生的磁力驱动开关动作。恒磁环能否向干簧管提供磁力是由感温磁环的温控特性决定的。<br/>3、固态继电器（SSR）的工作原理和特性<br/>固态继电器是一种两个接线端为输入端，另两个接线端为输出端的四端器件，中间采用隔离器件实现输入输出的电隔离。<br/>固态继电器按负载电源类型可分为交流型和直流型。按开关型式可分为常开型和常闭型。按隔离型式可分为混合型、变压器隔离型和光电隔离型，以光电隔离型为最多。.&nbsp;<br/><br/>二、继电器主要产品技术参数<br/>1、额定工作电压<br/>　　是指继电器正常工作时线圈所需要的电压。根据继电器的型号不同，可以是交流电压，也可以是直流电压。<br/>2、直流电阻<br/>　　是指继电器中线圈的直流电阻，可以通过万能表测量。<br/>3、吸合电流<br/>　　是指继电器能够产生吸合动作的最小电流。在正常使用时，给定的电流必须略大于吸合电流，这样继电器才能稳定地工作。而对于线圈所加的工作电压，一般不要超过额定工作电压的1.5倍，否则会产生较大的电流而把线圈烧毁。<br/>4、释放电流<br/>　是指继电器产生释放动作的最大电流。当继电器吸合状态的电流减小到一定程度时，继电器就会恢复到未通电的释放状态。这时的电流远远小于吸合电流。<br/>5、触点切换电压和电流<br/>　是指继电器允许加载的电压和电流。它决定了继电器能控制电压和电流的大小，使用时不能超过此值，否则很容易损坏继电器的触点。&nbsp;<br/><br/>三、继电器测试<br/>1、测触点电阻<br/>　　用万能表的电阻档，测量常闭触点与动点电阻，其阻值应为0；而常开触点与动点的阻值就为无穷大。由此可以区别出那个是常闭触点，那个是常开触点。<br/>2、测线圈电阻<br/>　　可用万能表R×10Ω档测量继电器线圈的阻值，从而判断该线圈是否存在着开路现象。<br/>3、测量吸合电压和吸合电流<br/>　　找来可调稳压电源和电流表，给继电器输入一组电压，且在供电回路中串入电流表进行监测。慢慢调高电源电压，听到继电器吸合声时，记下该吸合电压和吸合电流。为求准确，可以试多几次而求平均值。<br/>4、测量释放电压和释放电流<br/>　　也是像上述那样连接测试，当继电器发生吸合后，再逐渐降低供电电压，当听到继电器再次发生释放声音时，记下此时的电压和电流，亦可尝试多几次而取得平均的释放电压和释放电流。一般情况下，继电器的释放电压约在吸合电压的10~50％，如果释放电压太小（小于1/10的吸合电压），则不能正常使用了，这样会对电路的稳定性造成威胁，工作不可靠。&nbsp;<br/><br/>四、继电器的电符号和触点形式<br/>继电器线圈在电路中用一个长方框符号表示，如果继电器有两个线圈，就画两个并列的长方框。同时在长方框内或长方框旁标上继电器的文字符号“J”。继电器的触点有两种表示方法：一种是把它们直接画在长方框一侧，这种表示法较为直观。另一种是按照电路连接的需要，把各个触点分别画到各自的控制电路中，通常在同一继电器的触点与线圈旁分别标注上相同的文字符号，并将触点组编上号码，以示区别。继电器的触点有三种基本形式：<br/>1.动合型（H型）线圈不通电时两触点是断开的，通电后，两个触点就闭合。以合字的拼音字头“H”表示。<br/>2.动断型（D型）线圈不通电时两触点是闭合的，通电后两个触点就断开。用断字的拼音字头“D”表示。<br/>3.转换型（Z型）这是触点组型。这种触点组共有三个触点，即中间是动触点，上下各一个静触点。线圈不通电时，动触点和其中一个静触点断开和另一个闭合，线圈通电后，动触点就移动，使原来断开的成闭合，原来闭合的成断开状态，达到转换的目的。这样的触点组称为转换触点。用“转”字的拼音字头“z”表示。&nbsp;<br/><br/>五、继电器的选用<br/>1.先了解必要的条件：①控制电路的电源电压，能提供的最大电流；②被控制电路中的电压和电流；③被控电路需要几组、什么形式的触点。选用继电器时，一般控制电路的电源电压可作为选用的依据。控制电路应能给继电器提供足够的工作电流，否则继电器吸合是不稳定的。<br/>2.查阅有关资料确定使用条件后，可查找相关资料，找出需要的继电器的型号和规格号。若手头已有继电器，可依据资料核对是否可以利用。最后考虑尺寸是否合适。<br/>3.注意器具的容积。若是用于一般用电器，除考虑机箱容积外，小型继电器主要考虑电路板安装布局。对于小型电器，如玩具、遥控装置则应选用超小型继电器产品。<br/><br/><br/>]]></summary>
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